SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法
周梅; 常清英; 赵德刚
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:4Pages:2548-2553
Abstract提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.
metadata_83中国农业大学应用物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization中国农业大学青年教师科研启动基金(批准号:2 6 7)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3243003
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16101
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周梅,常清英,赵德刚. 一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法[J]. 物理学报,2008,57(4):2548-2553.
APA 周梅,常清英,&赵德刚.(2008).一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.物理学报,57(4),2548-2553.
MLA 周梅,et al."一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法".物理学报 57.4(2008):2548-2553.
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