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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法
作者: 周梅;  常清英;  赵德刚
发表日期: 2008
摘要: 提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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周梅;常清英;赵德刚.一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法,物理学报,2008,57(4):2548-2553
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