SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器新进展
陈良惠
2008
Source Publication红外与激光工程
Volume37Issue:1Pages:1-8
Abstract近年来,经济社会和武器装备的信息化对半导体光电子学器件提出了更高的要求,无论是国防还是民用工程都需要有自己的关键器件.光电探测器组件作为关键器件之一,世界各国都给予了高度重视,也取得了很大的进展.文中主要介绍了Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器的研究进展情况,包括量子阱红外探测器(QWIP)、AlGaN紫外焦平面探测器、InGaAs近红外室温焦平面探测器和Sb化物焦平面探测器等.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国防预研资助项目(A132 6 6 5)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3243948
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16099
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈良惠. Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器新进展[J]. 红外与激光工程,2008,37(1):1-8.
APA 陈良惠.(2008).Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器新进展.红外与激光工程,37(1),1-8.
MLA 陈良惠."Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器新进展".红外与激光工程 37.1(2008):1-8.
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