SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs/GaAs量子点红外探测器
马文全; 杨晓杰; 种明; 苏艳梅; 杨涛; 陈良惠; 邵军; 吕翔
2008
Source Publication红外与激光工程
Volume37Issue:1Pages:34-36
Abstract与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势.然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因.利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器.在77K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号.
metadata_83中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室;中国科学院上海技术物理研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization航天三院科技创新基金资助项目(HT3Y83582 5)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3243954
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16097
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马文全,杨晓杰,种明,等. InGaAs/GaAs量子点红外探测器[J]. 红外与激光工程,2008,37(1):34-36.
APA 马文全.,杨晓杰.,种明.,苏艳梅.,杨涛.,...&吕翔.(2008).InGaAs/GaAs量子点红外探测器.红外与激光工程,37(1),34-36.
MLA 马文全,et al."InGaAs/GaAs量子点红外探测器".红外与激光工程 37.1(2008):34-36.
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