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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化
作者: 牛智红;  任正伟;  贺振宏
发表日期: 2008
摘要: 采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.
刊名: 真空科学与技术学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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牛智红;任正伟;贺振宏.GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化,真空科学与技术学报,2008,28(2):108-111
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