SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化
牛智红; 任正伟; 贺振宏
2008
Source Publication真空科学与技术学报
Volume28Issue:2Pages:108-111
Abstract采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.
metadata_83山西综合职业技术学院轻工分院;中科院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金(No.6 176 6)资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3247315
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16095
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
牛智红,任正伟,贺振宏. GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化[J]. 真空科学与技术学报,2008,28(2):108-111.
APA 牛智红,任正伟,&贺振宏.(2008).GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化.真空科学与技术学报,28(2),108-111.
MLA 牛智红,et al."GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化".真空科学与技术学报 28.2(2008):108-111.
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