SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs/GaAs量子链的光学特性研究
王宝瑞; 孙征; 徐仲英; 孙宝权; 姬扬; Z.M.Wang; G.J.Salamo
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:3Pages:1908-1912
Abstract研究了InGaAs/GaAs量子链的稳态和瞬态光谱特性,特别是载流子的动力学过程.实验发现荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,荧光寿命随发光能量的增加而减小;实验还发现,当激发功率较小时,荧光寿命随激发功率增大而增大,当激发功率足够大时,荧光寿命趋于饱和.这些结果清楚地表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在明显的耦合和输运现象,进一步分析表明,这种输运主要是由于载流子沿量子链方向的耦合造成的.发光的偏振特性研究进一步证实了载流子沿量子链方向输运过程.
metadata_83中科院半导体研究所;Department of Physics, University of Arkansas
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金(批准号1 334 4 ),国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号G 1CB3 95)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3257765
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16085
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王宝瑞,孙征,徐仲英,等. InGaAs/GaAs量子链的光学特性研究[J]. 物理学报,2008,57(3):1908-1912.
APA 王宝瑞.,孙征.,徐仲英.,孙宝权.,姬扬.,...&G.J.Salamo.(2008).InGaAs/GaAs量子链的光学特性研究.物理学报,57(3),1908-1912.
MLA 王宝瑞,et al."InGaAs/GaAs量子链的光学特性研究".物理学报 57.3(2008):1908-1912.
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