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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律
作者: 商丽燕;  林铁;  周文政;  郭少令;  李东临;  高宏玲;  崔利杰;  曾一平;  褚君浩
发表日期: 2008
摘要: 研究了低温(1.5K)和强磁场(0-13T)条件下,InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)A_(l0.48)As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即⊿E_(21)=κ*ω_c(其中κ为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即⊿E_(21)=(2κ+1*ω/2,填充因子出现奇数.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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商丽燕;林铁;周文政;郭少令;李东临;高宏玲;崔利杰;曾一平;褚君浩.两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律,物理学报,2008,57(6):3818-3822
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