SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性
刘晓东; 王玮竹; 高瑞鑫; 赵建华; 文锦辉; 林位株; 赖天树
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:6Pages:3857-3861
Abstract运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.
metadata_83中山大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6 49 295,6 678 9,1 334 3 ),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2 5 558 3 )资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3280982
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16077
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘晓东,王玮竹,高瑞鑫,等. 室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性[J]. 物理学报,2008,57(6):3857-3861.
APA 刘晓东.,王玮竹.,高瑞鑫.,赵建华.,文锦辉.,...&赖天树.(2008).室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性.物理学报,57(6),3857-3861.
MLA 刘晓东,et al."室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性".物理学报 57.6(2008):3857-3861.
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