SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
国内大功率半导体激光器研究及应用现状
马骁宇; 王俊; 刘素平
2008
Source Publication红外与激光工程
Volume37Issue:2Pages:189-194
Abstract近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3285362
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16073
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马骁宇,王俊,刘素平. 国内大功率半导体激光器研究及应用现状[J]. 红外与激光工程,2008,37(2):189-194.
APA 马骁宇,王俊,&刘素平.(2008).国内大功率半导体激光器研究及应用现状.红外与激光工程,37(2),189-194.
MLA 马骁宇,et al."国内大功率半导体激光器研究及应用现状".红外与激光工程 37.2(2008):189-194.
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