SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测
肖雪芳; 杨国华; 归强; 王国宏; 马晓宇; 陈朝; 陈良惠
2008
Source Publication电子科技大学学报
Volume37Issue:3Pages:460-463
Abstract建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统.利用该系统对光.敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试.测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好.提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子.通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级.
metadata_83中国科学院半导体研究所;厦门大学物理系
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3286105
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16071
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
肖雪芳,杨国华,归强,等. InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测[J]. 电子科技大学学报,2008,37(3):460-463.
APA 肖雪芳.,杨国华.,归强.,王国宏.,马晓宇.,...&陈良惠.(2008).InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测.电子科技大学学报,37(3),460-463.
MLA 肖雪芳,et al."InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测".电子科技大学学报 37.3(2008):460-463.
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