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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测
作者: 肖雪芳;  杨国华;  归强;  王国宏;  马晓宇;  陈朝;  陈良惠
发表日期: 2008
摘要: 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统.利用该系统对光.敏面的直径为500岬的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试.测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好.提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流一电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子.通过该方法得到的InGaAs/InPAPD器件最大倍增因子的典型值在10-100量级.
刊名: 电子科技大学学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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肖雪芳;杨国华;归强;王国宏;马晓宇;陈朝;陈良惠.InGaAs/InPAPD探测器光电特性检测,电子科技大学学报,2008,37(3):460-463
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