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| 利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率 | |
胡海洋; 许兴胜 ; 鲁琳; 宋倩; 杜伟; 王春霞; 陈弘达
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| 2008 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 19Issue:5Pages:569-572 |
| Abstract | 计算了GaN二维光子晶体的能带结构，并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明，与没有制作光子晶体的器件相比，光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1．5倍以上。另外，还对感应耦合等离子体刻蚀（ICP）的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。 |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目（6 345 8;6 537 1 ;6 377 u）,国家高技术研究发展计划重大资助项目（2 6AA 3A114） |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3292641 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16065 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 胡海洋,许兴胜,鲁琳,等. 利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率[J]. 光电子·激光,2008,19(5):569-572. |
| APA | 胡海洋.,许兴胜.,鲁琳.,宋倩.,杜伟.,...&陈弘达.(2008).利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率.光电子·激光,19(5),569-572. |
| MLA | 胡海洋,et al."利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率".光电子·激光 19.5(2008):569-572. |
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