利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率

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题名:	利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率
作者:	胡海洋; 许兴胜; 鲁琳; 宋倩; 杜伟; 王春霞; 陈弘达
发表日期:	2008
摘要:	计算了GaN二维光子晶体的能带结构，并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明，与没有制作光子晶体的器件相比，光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1．5倍以上。另外，还对感应耦合等离子体刻蚀（ICP）的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。
刊名:	光电子·激光
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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胡海洋;许兴胜;鲁琳;宋倩;杜伟;王春霞;陈弘达.利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率,光电子·激光,2008,19(5):569-572

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