SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率
胡海洋; 许兴胜; 鲁琳; 宋倩; 杜伟; 王春霞; 陈弘达
2008
Source Publication光电子·激光
Volume19Issue:5Pages:569-572
Abstract计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上。另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(6 345 8;6 537 1 ;6 377 u),国家高技术研究发展计划重大资助项目(2 6AA 3A114)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3292641
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16065
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
胡海洋,许兴胜,鲁琳,等. 利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率[J]. 光电子·激光,2008,19(5):569-572.
APA 胡海洋.,许兴胜.,鲁琳.,宋倩.,杜伟.,...&陈弘达.(2008).利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率.光电子·激光,19(5),569-572.
MLA 胡海洋,et al."利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率".光电子·激光 19.5(2008):569-572.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3891.pdf(554KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[胡海洋]'s Articles
[许兴胜]'s Articles
[鲁琳]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[胡海洋]'s Articles
[许兴胜]'s Articles
[鲁琳]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[胡海洋]'s Articles
[许兴胜]'s Articles
[鲁琳]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.