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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率
作者: 胡海洋;  许兴胜;  鲁琳;  宋倩;  杜伟;  王春霞;  陈弘达
发表日期: 2008
摘要: 计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED。经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上。另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析。
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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胡海洋;许兴胜;鲁琳;宋倩;杜伟;王春霞;陈弘达.利用常规工艺提高光子晶体GaNLED的出光效率,光电子·激光,2008,19(5):569-572
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