SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波的辐射特性
石小溪; 赵国忠; 张存林; 崔利杰; 曾一平
2008
Source Publication中国激光
Volume35Issue:3Pages:396-400
Abstract研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在飞秒激光作用下辐射的太赫兹脉冲,得到了时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换(FFT)得到相应的频域光谱。结果表明,低温砷化镓光电导天线产生的太赫兹波信号比飞秒激光激发半导体表面产生的太赫兹波信号具有更高的强度和信噪比;太赫兹波信号与光电导天线的偏置电压成线性关系;随着抽运激光功率的增强,太赫兹波信号增大并出现饱和。
metadata_83首都师范大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(1 474 67),北京市自然科学基金(4 73 3 ),北京市教委科技发展计划面上项目(KM2 51 28 3)资助课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3300627
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16053
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
石小溪,赵国忠,张存林,等. 低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波的辐射特性[J]. 中国激光,2008,35(3):396-400.
APA 石小溪,赵国忠,张存林,崔利杰,&曾一平.(2008).低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波的辐射特性.中国激光,35(3),396-400.
MLA 石小溪,et al."低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波的辐射特性".中国激光 35.3(2008):396-400.
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