SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
李欢; 牛萍娟; 杨广华; 李俊一; 张宇; 常旭; 张秀乐
2008
Source Publication红外与激光工程
Volume37Issue:3Pages:440-443
Abstract介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性.设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6~8个数量级;探测器的响应时间约为3.8x10~(-9)s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想.采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结.
metadata_83天津工业大学,信息与通信工程学院;中国科学院,半导体研究所光电子研究发展中心;河北工业大学,土木工程学院交通工程系
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家自然科学重点基金项目(NSFC-6 536 3 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3312426
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16039
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李欢,牛萍娟,杨广华,等. 高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟[J]. 红外与激光工程,2008,37(3):440-443.
APA 李欢.,牛萍娟.,杨广华.,李俊一.,张宇.,...&张秀乐.(2008).高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟.红外与激光工程,37(3),440-443.
MLA 李欢,et al."高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟".红外与激光工程 37.3(2008):440-443.
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