界面热应力对InP/Si键合质量的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	界面热应力对InP/Si键合质量的影响
	刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 王立彬; 陈宇; 马龙
	2008
Source Publication	固体电子学研究与进展
Volume	28 Issue:2 Pages:172-175
Abstract	通过实验和理论计算,分析了InP/Si键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围。分析结果表明,由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,为保证良好的键合质量,InP/Si键合退火温度应该在300～350℃范围内选取。具体实验验证表明,该理论计算值与实验结果相一致。最后,在300℃退火条件下,很好地实现了2inInP/Si晶片键合,红外图像显示,界面几乎没有空洞和裂隙存在,有效键合面积超过90%.
metadata_83	中科院半导体研究所集成技术中心
Subject Area	微电子学
Funding Organization	国家高科技研究发展计划资助项目(批准号:2 3AA312 1 )
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3323313
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16035
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘志强,王良臣,于丽娟,等. 界面热应力对InP/Si键合质量的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2008,28(2):172-175.
APA	刘志强.,王良臣.,于丽娟.,郭金霞.,伊晓燕.,...&马龙.(2008).界面热应力对InP/Si键合质量的影响.固体电子学研究与进展,28(2),172-175.
MLA	刘志强,et al."界面热应力对InP/Si键合质量的影响".固体电子学研究与进展 28.2(2008):172-175.

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