SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
量子点光电子器件及其研究进展
彭英才; Zhao Xinwei; 马蕾
2008
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume28Issue:2Pages:235-240
Abstract作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。着重评述了量子点激光器、量子点红外光探测器和量子点单光子发射器件在近3至5年内取得的最新进展,并对存在的问题进行了分析和讨论。最后,提出了进一步改善器件性能的几种可能途径。
metadata_83河北大学电子信息工程学院;Department of Physics, Tokyo University of Science;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization河北省自然科学基金(5 3125),中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3323327
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16033
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
彭英才,Zhao Xinwei,马蕾. 量子点光电子器件及其研究进展[J]. 固体电子学研究与进展,2008,28(2):235-240.
APA 彭英才,Zhao Xinwei,&马蕾.(2008).量子点光电子器件及其研究进展.固体电子学研究与进展,28(2),235-240.
MLA 彭英才,et al."量子点光电子器件及其研究进展".固体电子学研究与进展 28.2(2008):235-240.
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