p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

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题名:	p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响
作者:	周梅; 赵德刚
发表日期:	2008
摘要:	研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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周梅;赵德刚.p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响,物理学报,2008,57(7):4570-4574

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