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| p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响 | |
周梅; 赵德刚
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| 2008 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 57Issue:7Pages:4570-4574 |
| Abstract | 研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度. |
| metadata_83 | 中国农业大学理学院应用物理系;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号:6 776 47),中国农业大学青年教师科研启动基金(基金批准号:2 6 7)资助的课题 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3324366 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16029 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 周梅,赵德刚. p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响[J]. 物理学报,2008,57(7):4570-4574. |
| APA | 周梅,&赵德刚.(2008).p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响.物理学报,57(7),4570-4574. |
| MLA | 周梅,et al."p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响".物理学报 57.7(2008):4570-4574. |
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