SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响
周梅; 赵德刚
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:7Pages:4570-4574
Abstract研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度.
metadata_83中国农业大学理学院应用物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6 776 47),中国农业大学青年教师科研启动基金(基金批准号:2 6 7)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3324366
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16029
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周梅,赵德刚. p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响[J]. 物理学报,2008,57(7):4570-4574.
APA 周梅,&赵德刚.(2008).p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响.物理学报,57(7),4570-4574.
MLA 周梅,et al."p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响".物理学报 57.7(2008):4570-4574.
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