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| GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能 | |
| 郑文礼; 李志文; 李树深; 王雪峰 | |
| 2008 | |
| Source Publication | 大学物理
 |
| Volume | 27Issue:6Pages:26-30 |
| Abstract | 在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的. |
| metadata_83 | 承德民族师范高等专科学校物理系;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目(6 521 1) |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3328520 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16027 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郑文礼,李志文,李树深,等. GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能[J]. 大学物理,2008,27(6):26-30. |
| APA | 郑文礼,李志文,李树深,&王雪峰.(2008).GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能.大学物理,27(6),26-30. |
| MLA | 郑文礼,et al."GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能".大学物理 27.6(2008):26-30. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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