GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能

高级检索注册


	研究部门
	学科主题
	内容类型期刊论文学位论文会议论文专著演示报告成果专利其他
	所有条目
	所有作者

题名:	GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能
作者:	郑文礼; 李志文; 李树深; 王雪峰
发表日期:	2008
摘要:	在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的.
刊名:	大学物理
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

条目包含的文件

文件		大小	格式
3861.pdf		387Kb	Adobe PDF	联系获取全文

许可声明：条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。

推荐引用方式：

郑文礼;李志文;李树深;王雪峰.GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能,大学物理,2008,27(6):26-30

所有评论 (0)

暂无评论