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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能
作者: 郑文礼;  李志文;  李树深;  王雪峰
发表日期: 2008
摘要: 在有效质量近似下,采用微扰法研究了InAs/GaAs量子点内类氢杂质基态及低激发态的束缚能.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,精确地求解了电子的薛定谔方程.数值计算结果表明,类氢杂质基态及低激发态的束缚能敏感地依赖于抛物形势的角频率,受类氢杂质的影响,谱线发生蓝移.这一结果对设计和制备量子点器件是有价值的.
刊名: 大学物理
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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郑文礼;李志文;李树深;王雪峰.GaAs基InAs量子点中类氢杂质的束缚能,大学物理,2008,27(6):26-30
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