SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布
周振宇; 陈涌海
2008
Source Publication硅酸盐通报
Volume27Issue:3Pages:580-583
Abstract利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10~(-5)数量级.蓝宝石衬底的可以达到10~(-6)数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金重点资助项目(6 6254 2),国家973计划项目(2 6CB6 49 8)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3329920
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16023
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
周振宇,陈涌海. 用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布[J]. 硅酸盐通报,2008,27(3):580-583.
APA 周振宇,&陈涌海.(2008).用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布.硅酸盐通报,27(3),580-583.
MLA 周振宇,et al."用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布".硅酸盐通报 27.3(2008):580-583.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3859.pdf(272KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[周振宇]'s Articles
[陈涌海]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[周振宇]'s Articles
[陈涌海]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[周振宇]'s Articles
[陈涌海]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.