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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响
作者: 何金孝;  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平;  李晋闽
发表日期: 2008
摘要: 首次报道了通过引入ZnAl_2O_4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl_2O_4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl_2O_4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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何金孝;段垚;王晓峰;崔军朋;曾一平;李晋闽.ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响,半导体学报,2008,29(7):1334-1337
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