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ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 | |
何金孝; 段垚; 王晓峰![]() | |
2008 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 29Issue:7Pages:1334-1337 |
Abstract | 首次报道了通过引入ZnAl_2O_4缓冲层,以金属源化学气相外延法(MVPE)生长的ZnO晶体质量明显提高.ZnAl_2O_4缓冲层是通过对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜进行高温退火而得到的.用双晶X射线衍射仪(DCXRD)对样品进行了θ-2θ和摇摆曲线测量,在ZnAl_2O_4缓冲层上生长的ZnO厚膜具有高度的择优取向性和良好的晶体质量(摇摆曲线半高宽为342").用电子扫描显微镜(SEM)观察样品横截面,并测得样品厚度约为10μm. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3330188 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16009 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 何金孝,段垚,王晓峰,等. ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响[J]. 半导体学报,2008,29(7):1334-1337. |
APA | 何金孝,段垚,王晓峰,崔军朋,曾一平,&李晋闽.(2008).ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响.半导体学报,29(7),1334-1337. |
MLA | 何金孝,et al."ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响".半导体学报 29.7(2008):1334-1337. |
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