SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应
商丽燕; 林铁; 周文政; 李东临; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 俞国林; 褚君浩
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:8Pages:5232-5236
Abstract在低温强磁场条件下,对In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的.
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6 2215 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 7CB9249 1)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3339692
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16003
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
商丽燕,林铁,周文政,等. In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应[J]. 物理学报,2008,57(8):5232-5236.
APA 商丽燕.,林铁.,周文政.,李东临.,高宏玲.,...&褚君浩.(2008).In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应.物理学报,57(8),5232-5236.
MLA 商丽燕,et al."In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应".物理学报 57.8(2008):5232-5236.
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