Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应 | |
商丽燕; 林铁; 周文政; 李东临; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 俞国林; 褚君浩 | |
2008 | |
Source Publication | 物理学报
![]() |
Volume | 57Issue:8Pages:5232-5236 |
Abstract | 在低温强磁场条件下,对In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的. |
metadata_83 | 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号:6 2215 2),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 7CB9249 1)资助的课题 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3339692 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16003 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 商丽燕,林铁,周文政,等. In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应[J]. 物理学报,2008,57(8):5232-5236. |
APA | 商丽燕.,林铁.,周文政.,李东临.,高宏玲.,...&褚君浩.(2008).In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应.物理学报,57(8),5232-5236. |
MLA | 商丽燕,et al."In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应".物理学报 57.8(2008):5232-5236. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
3840.pdf(425KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment