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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应
作者: 商丽燕;  林铁;  周文政;  李东临;  高宏玲;  曾一平;  郭少令;  俞国林;  褚君浩
发表日期: 2008
摘要: 在低温强磁场条件下,对In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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商丽燕;林铁;周文政;李东临;高宏玲;曾一平;郭少令;俞国林;褚君浩.In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应,物理学报,2008,57(8):5232-5236
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