SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
周蓉; 孙宝权; 阮学忠; 甘华东; 姬扬; 王玮竹; 赵建华
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:8Pages:5244-5248
Abstract利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga_(0.937)Mn_(0.063)As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:1 334 3 ,6 676 54)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3339694
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16001
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周蓉,孙宝权,阮学忠,等. 外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响[J]. 物理学报,2008,57(8):5244-5248.
APA 周蓉.,孙宝权.,阮学忠.,甘华东.,姬扬.,...&赵建华.(2008).外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响.物理学报,57(8),5244-5248.
MLA 周蓉,et al."外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响".物理学报 57.8(2008):5244-5248.
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