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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响
作者: 周蓉;  孙宝权;  阮学忠;  甘华东;  姬扬;  王玮竹;  赵建华
发表日期: 2008
摘要: 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga_(0.937)Mn_(0.063)As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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周蓉;孙宝权;阮学忠;甘华东;姬扬;王玮竹;赵建华.外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响,物理学报,2008,57(8):5244-5248
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