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| 外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响 | |
周蓉; 孙宝权; 阮学忠; 甘华东 ; 姬扬; 王玮竹; 赵建华
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| 2008 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 57Issue:8Pages:5244-5248 |
| Abstract | 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga_(0.937)Mn_(0.063)As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号:1 334 3 ,6 676 54)资助的课题 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3339694 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16001 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 周蓉,孙宝权,阮学忠,等. 外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响[J]. 物理学报,2008,57(8):5244-5248. |
| APA | 周蓉.,孙宝权.,阮学忠.,甘华东.,姬扬.,...&赵建华.(2008).外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响.物理学报,57(8),5244-5248. |
| MLA | 周蓉,et al."外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响".物理学报 57.8(2008):5244-5248. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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