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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制
作者: 黄燕华;  陈松岩;  李成;  蔡加法;  余金中
发表日期: 2008
摘要: 为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5μm和10μm器件光电响应的不同。
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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黄燕华;陈松岩;李成;蔡加法;余金中.U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制,光电子·激光,2008,19(7):869-871
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