SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
两步合金法制作p-GaN高反电极
郭德博; 梁萌; 范曼宁; 刘志强; 王良臣; 王国宏
2008
Source Publication光电子·激光
Volume19Issue:7Pages:902-904
Abstract利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高。可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降。最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3347145
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15991
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郭德博,梁萌,范曼宁,等. 两步合金法制作p-GaN高反电极[J]. 光电子·激光,2008,19(7):902-904.
APA 郭德博,梁萌,范曼宁,刘志强,王良臣,&王国宏.(2008).两步合金法制作p-GaN高反电极.光电子·激光,19(7),902-904.
MLA 郭德博,et al."两步合金法制作p-GaN高反电极".光电子·激光 19.7(2008):902-904.
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