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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 两步合金法制作p-GaN高反电极
作者: 郭德博;  梁萌;  范曼宁;  刘志强;  王良臣;  王国宏
发表日期: 2008
摘要: 利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高。可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降。最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极。
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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郭德博;梁萌;范曼宁;刘志强;王良臣;王国宏.两步合金法制作p-GaN高反电极,光电子·激光,2008,19(7):902-904
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