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| 两步合金法制作p-GaN高反电极 | |
郭德博; 梁萌 ; 范曼宁; 刘志强; 王良臣; 王国宏
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| 2008 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 19Issue:7Pages:902-904 |
| Abstract | 利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高。可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降。最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极。 |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3347145 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15991 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭德博,梁萌,范曼宁,等. 两步合金法制作p-GaN高反电极[J]. 光电子·激光,2008,19(7):902-904. |
| APA | 郭德博,梁萌,范曼宁,刘志强,王良臣,&王国宏.(2008).两步合金法制作p-GaN高反电极.光电子·激光,19(7),902-904. |
| MLA | 郭德博,et al."两步合金法制作p-GaN高反电极".光电子·激光 19.7(2008):902-904. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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