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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷
作者: 王柱;  柯君玉;  李辉;  庞锦标;  戴益群;  赵有文
发表日期: 2008
摘要: 利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.
刊名: 武汉大学学报. 理学版
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
王柱;柯君玉;李辉;庞锦标;戴益群;赵有文.用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷,武汉大学学报. 理学版,2008,54(3):305-308
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