SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷
王柱; 柯君玉; 李辉; 庞锦标; 戴益群; 赵有文
2008
Source Publication武汉大学学报. 理学版
Volume54Issue:3Pages:305-308
Abstract利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.
metadata_83武汉大学,物理科学与技术学院;中国科学院,半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(1 7751 7)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3371658
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15979
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王柱,柯君玉,李辉,等. 用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷[J]. 武汉大学学报. 理学版,2008,54(3):305-308.
APA 王柱,柯君玉,李辉,庞锦标,戴益群,&赵有文.(2008).用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷.武汉大学学报. 理学版,54(3),305-308.
MLA 王柱,et al."用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷".武汉大学学报. 理学版 54.3(2008):305-308.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3824.pdf(299KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王柱]'s Articles
[柯君玉]'s Articles
[李辉]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王柱]'s Articles
[柯君玉]'s Articles
[李辉]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王柱]'s Articles
[柯君玉]'s Articles
[李辉]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.