SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质
张璠; 赵有文; 董志远; 张瑞; 杨俊
2008
Source Publication半导体学报
Volume29Issue:8Pages:1540-1543
Abstract研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为10~(18)~10~(19)cm~(-3)的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3376273
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15971
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
张璠,赵有文,董志远,等. 铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质[J]. 半导体学报,2008,29(8):1540-1543.
APA 张璠,赵有文,董志远,张瑞,&杨俊.(2008).铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质.半导体学报,29(8),1540-1543.
MLA 张璠,et al."铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质".半导体学报 29.8(2008):1540-1543.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3820.pdf(565KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[张璠]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[张璠]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[张璠]'s Articles
[赵有文]'s Articles
[董志远]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.