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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究
作者: 陈亮;  亢勇;  赵德刚;  李向阳;  龚海梅
发表日期: 2008
摘要: 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对A1GaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究。结果表明,在N2气中550℃退火3min对材料的电学性能有明显的改善作用。
刊名: 固体电子学研究与进展
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈亮;亢勇;赵德刚;李向阳;龚海梅.Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究,固体电子学研究与进展,2008,28(3):420-423
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