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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaN基垂直腔面发射激光器的研制
作者: 张保平;  蔡丽娥;  张江勇;  李水清;  尚景智;  王笃祥;  林峰;  林科闯;  余金中;  王启明
发表日期: 2008
摘要: 作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长.然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜(DBR).将样品键合到其它支撑片上后,采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除.再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL.在室温光泵条件下,观察到VCSEL的激射.激射波长449.5nm。阈值6.5mJ/cm~2.激射峰的半高宽小于0.1nm,这些指标达到了国际领先水平.本文为进一步研制实用化氮化物VCSEL奠定了重要的基础.
刊名: 厦门大学学报. 自然科学版
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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张保平;蔡丽娥;张江勇;李水清;尚景智;王笃祥;林峰;林科闯;余金中;王启明.GaN基垂直腔面发射激光器的研制,厦门大学学报. 自然科学版,2008,47(5):617-619
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