SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN基垂直腔面发射激光器的研制
张保平; 蔡丽娥; 张江勇; 李水清; 尚景智; 王笃祥; 林峰; 林科闯; 余金中; 王启明
2008
Source Publication厦门大学学报. 自然科学版
Volume47Issue:5Pages:617-619
Abstract作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长.然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜(DBR).将样品键合到其它支撑片上后,采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除.再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL.在室温光泵条件下,观察到VCSEL的激射.激射波长449.5nm。阈值6.5mJ/cm~2.激射峰的半高宽小于0.1nm,这些指标达到了国际领先水平.本文为进一步研制实用化氮化物VCSEL奠定了重要的基础.
metadata_83厦门大学物理与机电工程学院;中国科学院半导体研究所;厦门三安电子有限公司技术中心
Subject Area光电子学
Funding Organization科技部国家高科技研究发展计划(863计划)资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3391157
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15965
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张保平,蔡丽娥,张江勇,等. GaN基垂直腔面发射激光器的研制[J]. 厦门大学学报. 自然科学版,2008,47(5):617-619.
APA 张保平.,蔡丽娥.,张江勇.,李水清.,尚景智.,...&王启明.(2008).GaN基垂直腔面发射激光器的研制.厦门大学学报. 自然科学版,47(5),617-619.
MLA 张保平,et al."GaN基垂直腔面发射激光器的研制".厦门大学学报. 自然科学版 47.5(2008):617-619.
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