高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design
作者: Chen Zhigang;  Zhang Yang;  Luo Weijun;  Zhang Renping;  Yang Fuhua;  Wang Xiaoliang;  Li Jinmin
发表日期: 2008
摘要: We propose and fabricate an A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire substrate using a new kind of electron beam (EB) lithography layout for the T-gate. Using this new layout,we can change the aspect ratio (ratio of top gate dimension to gate length) and modify the shape of the T-gate freely. Therefore, we obtain a 0.18μm gate-length AlGaN/GaN HEMT with a unity current gain cutoff frequency (f_T) of 65GHz. The aspect ratio of the T-gate is 10. These single finger devices also exhibit a peak extrinsic transconductance of 287mS/mm and a maximum drain current as high as 980mA/mm.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
3811.pdf292KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Chen Zhigang;Zhang Yang;Luo Weijun;Zhang Renping;Yang Fuhua;Wang Xiaoliang;Li Jinmin.A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design,半导体学报,2008,29(9):1654-1656
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Chen Zhigang]的文章
 [Zhang Yang]的文章
 [Luo Weijun]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Chen Zhigang]的文章
 [Zhang Yang]的文章
 [Luo Weijun]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发