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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
作者: 于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
发表日期: 2008
摘要: 研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
于会永;赵有文;占荣;高永亮.VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质,半导体学报,2008,29(9):1775-1778
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