非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
	朱蓉辉; 曾一平; 卜俊鹏; 惠峰; 郑红军; 赵冀; 高永亮
	2008
Source Publication	半导体学报
Volume	29 Issue:9 Pages:1779-1782
Abstract	通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓（100）方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.
metadata_83	中国科学院半导体研究所材料研究中心
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3399097
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15947
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	朱蓉辉,曾一平,卜俊鹏,等. 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质[J]. 半导体学报,2008,29(9):1779-1782.
APA	朱蓉辉.,曾一平.,卜俊鹏.,惠峰.,郑红军.,...&高永亮.(2008).非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质.半导体学报,29(9),1779-1782.
MLA	朱蓉辉,et al."非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质".半导体学报 29.9(2008):1779-1782.

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