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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究
作者: 张瑞;  张方;  赵有文;  董志远;  杨俊
发表日期: 2008
摘要: 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.X射线光电子能谱(XPS)测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主.利用光致发光谱(PL)测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关.这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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张瑞;张方;赵有文;董志远;杨俊.掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究,半导体学报,2008,29(10):1988-1991
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