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| 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究 | |
张瑞 ; 张方; 赵有文; 董志远; 杨俊
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| 2008 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 29Issue:10Pages:1988-1991 |
| Abstract | 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.X射线光电子能谱（XPS）测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主.利用光致发光谱（PL）测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关.这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目（批准号 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3399357 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15939 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张瑞,张方,赵有文,等. 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究[J]. 半导体学报,2008,29(10):1988-1991. |
| APA | 张瑞,张方,赵有文,董志远,&杨俊.(2008).掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究.半导体学报,29(10),1988-1991. |
| MLA | 张瑞,et al."掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究".半导体学报 29.10(2008):1988-1991. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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