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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征
作者: 林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
发表日期: 2008
摘要: 用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上蒸发了Au/Cr和Au/Ti/Al/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延(GSMBE)生长GaN.两种缓冲层的表面都比较平整和均匀,都是具有Au(111)面择优取向的立方相Au层.在Au/Cr/Si(111)上MBE生长的GaN,生长结束后出现剥离.在Au/Ti/Al/Ti/Si(111)上无AlN缓冲层直接生长GaN,得到的是多晶GaN;先在800℃生长一层AlN缓冲层,然后在710℃生长GaN,得到的是沿GaN(0001)面择优取向的六方相GaN.将Au/Ti/Al/Ti/Si(111)在800℃下退火20min,金属层收缩为网状结构,并且成为多晶,不再具有Au(111)方向择优取向.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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林郭强;曾一平;王晓亮;刘宏新.以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征,半导体学报,2008,29(10):1998-2002
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