SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
多晶AlN光学性质研究
周立; 陈涌海; 王占国; 赵有文
2008
Source Publication光散射学报
Volume20Issue:3Pages:245-248
Abstract运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪,测量了物理气相输运(PVT)方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱。常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系,观察到了E和E峰位基本不随测量位置变化,与晶界无关,但是E1(TO),A1(LO)和Quasi—LO声子峰位却明显与晶界有关,为研究晶粒间、晶粒内应力提供了有效手段。
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所新材料中心
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3401532
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15933
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周立,陈涌海,王占国,等. 多晶AlN光学性质研究[J]. 光散射学报,2008,20(3):245-248.
APA 周立,陈涌海,王占国,&赵有文.(2008).多晶AlN光学性质研究.光散射学报,20(3),245-248.
MLA 周立,et al."多晶AlN光学性质研究".光散射学报 20.3(2008):245-248.
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