60%电光效率高功率激光二极管阵列

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题名:	60%电光效率高功率激光二极管阵列
作者:	王俊; 白一鸣; 崇锋; 刘媛媛; 冯小明; 王勇刚; 张广泽; 刘素平; 马骁宇
发表日期:	2008
摘要:	设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。
刊名:	中国激光
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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王俊;白一鸣;崇锋;刘媛媛;冯小明;王勇刚;张广泽;刘素平;马骁宇.60%电光效率高功率激光二极管阵列,中国激光,2008,35(9):1323-1327

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