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| 60%电光效率高功率激光二极管阵列 | |
王俊; 白一鸣; 崇锋; 刘媛媛 ; 冯小明; 王勇刚; 张广泽; 刘素平; 马骁宇
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| 2008 | |
| Source Publication | 中国激光
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| Volume | 35Issue:9Pages:1323-1327 |
| Abstract | 设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。 |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金(914 A 2 114 6ZK 3)资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3409056 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15927 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王俊,白一鸣,崇锋,等. 60%电光效率高功率激光二极管阵列[J]. 中国激光,2008,35(9):1323-1327. |
| APA | 王俊.,白一鸣.,崇锋.,刘媛媛.,冯小明.,...&马骁宇.(2008).60%电光效率高功率激光二极管阵列.中国激光,35(9),1323-1327. |
| MLA | 王俊,et al."60%电光效率高功率激光二极管阵列".中国激光 35.9(2008):1323-1327. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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