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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 60%电光效率高功率激光二极管阵列
作者: 王俊;  白一鸣;  崇锋;  刘媛媛;  冯小明;  王勇刚;  张广泽;  刘素平;  马骁宇
发表日期: 2008
摘要: 设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。
刊名: 中国激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王俊;白一鸣;崇锋;刘媛媛;冯小明;王勇刚;张广泽;刘素平;马骁宇.60%电光效率高功率激光二极管阵列,中国激光,2008,35(9):1323-1327
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