SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜
崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
2008
Source Publication发光学报
Volume29Issue:5Pages:861-864
Abstract采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(001)衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜。其中Au缓冲层在物理气相沉积(PVD)设备中蒸发,厚度大约为300nm。有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高。利用X射线衍射(XRD)研究了所生长ZnO薄膜的结晶质量,有Au缓冲层的ZnO薄膜虽然仍为多晶,但显示出明显的择优取向。用光学显微镜研究了ZnO薄膜的表面特征,金属Au缓冲层显著地提高了在Si衬底上生长的ZnO薄膜的晶粒尺寸及平整度。同时利用室温光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的光学性质,并分析了有Au缓冲层的ZnO薄膜NEB发光峰强度反而弱的可能原因。
metadata_83中国科学院半导体研究所材料中心
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3413022
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15923
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
崔军朋,段垚,王晓峰,等. 以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜[J]. 发光学报,2008,29(5):861-864.
APA 崔军朋,段垚,王晓峰,&曾一平.(2008).以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜.发光学报,29(5),861-864.
MLA 崔军朋,et al."以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜".发光学报 29.5(2008):861-864.
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