SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd
王国立; 郭亨群; 苏培林; 张春华; 王启明; 徐骏; 陈坤基
2008
Source Publication发光学报
Volume29Issue:5Pages:905-909
Abstract采用射频磁控反应溅射法制备a—Si/SiN。超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc—Si/SiN,薄膜作为饱和吸收体插入Nd
metadata_83华侨大学信息科学与工程学院;中国科学院半导体研究所;南京大学物理学系
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(6 678 53),国家自然科学基金重点(6 336 1 ),国家重点基础研究发展“973”计划(2 7CB6134 1)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3413031
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15921
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王国立,郭亨群,苏培林,等. nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd[J]. 发光学报,2008,29(5):905-909.
APA 王国立.,郭亨群.,苏培林.,张春华.,王启明.,...&陈坤基.(2008).nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd.发光学报,29(5),905-909.
MLA 王国立,et al."nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd".发光学报 29.5(2008):905-909.
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