高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd
作者: 王国立;  郭亨群;  苏培林;  张春华;  王启明;  徐骏;  陈坤基
发表日期: 2008
摘要: 采用射频磁控反应溅射法制备a—Si/SiN。超晶格薄膜材料,热退火后形成纳米Si晶粒。把nc—Si/SiN,薄膜作为饱和吸收体插入Nd
刊名: 发光学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
3788.pdf483KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
王国立;郭亨群;苏培林;张春华;王启明;徐骏;陈坤基.nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd,发光学报,2008,29(5):905-909
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [王国立]的文章
 [郭亨群]的文章
 [苏培林]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [王国立]的文章
 [郭亨群]的文章
 [苏培林]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发