SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响
郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
2008
Source Publication功能材料
Volume39Issue:10Pages:1605-1607
Abstract采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长InAs(4ML)/GaSb(8ML)超晶格(SLs)。研究了生长温度(400~440℃)对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明,420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小,其荧光光谱(PL)峰值波长在约2.54μm处,响应光谱50%截止波长在约2.4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面,并发现生长温度强烈影响混合界面InAs/GaSb超晶格结构和表面形貌,而对InSb界面超晶格的影响较小。
metadata_83西北工业大学材料学院;中国空空导弹研究院;中科院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(6 6 7 16.6 6254 5)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3419720
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15917
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郭杰,孙维国,陈慧娟,等. 生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响[J]. 功能材料,2008,39(10):1605-1607.
APA 郭杰.,孙维国.,陈慧娟.,彭震宇.,鲁正雄.,...&牛智川.(2008).生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响.功能材料,39(10),1605-1607.
MLA 郭杰,et al."生长温度对InAs/GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响".功能材料 39.10(2008):1605-1607.
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