中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应

高级检索注册


	研究部门
	学科主题
	内容类型期刊论文学位论文会议论文专著演示报告成果专利其他
	所有条目
	所有作者

题名:	中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应
作者:	花磊; 宋国峰; 郭宝山; 汪卫敏; 张宇
发表日期:	2008
摘要:	理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收.
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

条目包含的文件

文件		大小	格式
3782.pdf		400Kb	Adobe PDF	联系获取全文

许可声明：条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。

推荐引用方式：

花磊;宋国峰;郭宝山;汪卫敏;张宇.中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应,物理学报,2008,57(11):7210-7215

所有评论 (0)

暂无评论