中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应
	花磊; 宋国峰; 郭宝山; 汪卫敏; 张宇
	2008
Source Publication	物理学报
Volume	57 Issue:11 Pages:7210-7215
Abstract	理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金(批准号:6 876 49)资助的课题
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3429287
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15911
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	花磊,宋国峰,郭宝山,等. 中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应[J]. 物理学报,2008,57(11):7210-7215.
APA	花磊,宋国峰,郭宝山,汪卫敏,&张宇.(2008).中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应.物理学报,57(11),7210-7215.
MLA	花磊,et al."中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应".物理学报 57.11(2008):7210-7215.

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