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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应
作者: 花磊;  宋国峰;  郭宝山;  汪卫敏;  张宇
发表日期: 2008
摘要: 理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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花磊;宋国峰;郭宝山;汪卫敏;张宇.中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应,物理学报,2008,57(11):7210-7215
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