SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应
花磊; 宋国峰; 郭宝山; 汪卫敏; 张宇
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:11Pages:7210-7215
Abstract理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6 876 49)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3429287
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15911
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
花磊,宋国峰,郭宝山,等. 中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应[J]. 物理学报,2008,57(11):7210-7215.
APA 花磊,宋国峰,郭宝山,汪卫敏,&张宇.(2008).中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应.物理学报,57(11),7210-7215.
MLA 花磊,et al."中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应".物理学报 57.11(2008):7210-7215.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3782.pdf(400KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[花磊]'s Articles
[宋国峰]'s Articles
[郭宝山]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[花磊]'s Articles
[宋国峰]'s Articles
[郭宝山]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[花磊]'s Articles
[宋国峰]'s Articles
[郭宝山]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.