Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应 | |
花磊; 宋国峰; 郭宝山; 汪卫敏![]() ![]() | |
2008 | |
Source Publication | 物理学报
![]() |
Volume | 57Issue:11Pages:7210-7215 |
Abstract | 理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(批准号:6 876 49)资助的课题 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3429287 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15911 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 花磊,宋国峰,郭宝山,等. 中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应[J]. 物理学报,2008,57(11):7210-7215. |
APA | 花磊,宋国峰,郭宝山,汪卫敏,&张宇.(2008).中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应.物理学报,57(11),7210-7215. |
MLA | 花磊,et al."中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应".物理学报 57.11(2008):7210-7215. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
3782.pdf(400KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment