Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂

高级检索注册


	研究部门
	学科主题
	内容类型期刊论文学位论文会议论文专著演示报告成果专利其他
	所有条目
	所有作者

题名:	Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂
作者:	林涛; 郑凯; 马骁宇
发表日期:	2008
摘要:	杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn_3As_2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现,随着扩散时间从20～120min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53nm;当扩散时间超过60min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga_(0.51)In_(0.49)P缓冲层的影响。还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。
刊名:	光学学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

条目包含的文件

文件		大小	格式
3781.pdf		476Kb	Adobe PDF	联系获取全文

许可声明：条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。

推荐引用方式：

林涛;郑凯;马骁宇.Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂,光学学报,2008,28(11):2209-2214

所有评论 (0)

暂无评论