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Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂 | |
林涛; 郑凯; 马骁宇 | |
2008 | |
Source Publication | 光学学报
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Volume | 28Issue:11Pages:2209-2214 |
Abstract | 杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn_3As_2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现,随着扩散时间从20~120min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53nm;当扩散时间超过60min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga_(0.51)In_(0.49)P缓冲层的影响。还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。 |
metadata_83 | 西安理工大学电子工程系;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体器件 |
Funding Organization | 中国博士后科学基金(2 7 411137)资助课题 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3430111 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15909 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 林涛,郑凯,马骁宇. Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂[J]. 光学学报,2008,28(11):2209-2214. |
APA | 林涛,郑凯,&马骁宇.(2008).Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂.光学学报,28(11),2209-2214. |
MLA | 林涛,et al."Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂".光学学报 28.11(2008):2209-2214. |
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