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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂
作者: 林涛;  郑凯;  马骁宇
发表日期: 2008
摘要: 杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn_3As_2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验。实验发现,随着扩散时间从20~120min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53nm;当扩散时间超过60min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32nm。分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga_(0.51)In_(0.49)P缓冲层的影响。还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂中的Al-Ga的互扩散系数。
刊名: 光学学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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林涛;郑凯;马骁宇.Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂,光学学报,2008,28(11):2209-2214
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