Si／SiNx超晶格材料的非线性光学特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si／SiNx超晶格材料的非线性光学特性
	申继伟; 郭亨群; 吕蓬; 徐骏; 陈坤基; 王启明
	2008
Source Publication	发光学报
Volume	29 Issue:6 Pages:1045-1049
Abstract	采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si／SiN；超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性，实验结果表明，样品的非线性折射率为负值，非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1．27×10~(-7)，1．51×10~(-8)esu，该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨，认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。
metadata_83	华侨大学信息科学与工程学院;南京大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金（6 678 53）,国家自然科学基金重点（6 336 1 ）,国家重点基础研究发展“973”计划（2 7CB6134 1）资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3450710
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15891
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	申继伟,郭亨群,吕蓬,等. Si／SiNx超晶格材料的非线性光学特性[J]. 发光学报,2008,29(6):1045-1049.
APA	申继伟,郭亨群,吕蓬,徐骏,陈坤基,&王启明.(2008).Si／SiNx超晶格材料的非线性光学特性.发光学报,29(6),1045-1049.
MLA	申继伟,et al."Si／SiNx超晶格材料的非线性光学特性".发光学报 29.6(2008):1045-1049.

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