SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性
申继伟; 郭亨群; 吕蓬; 徐骏; 陈坤基; 王启明
2008
Source Publication发光学报
Volume29Issue:6Pages:1045-1049
Abstract采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiN;超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性,实验结果表明,样品的非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性极化率实部和虚部分别为1.27×10~(-7),1.51×10~(-8)esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。
metadata_83华侨大学信息科学与工程学院;南京大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(6 678 53),国家自然科学基金重点(6 336 1 ),国家重点基础研究发展“973”计划(2 7CB6134 1)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3450710
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15891
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
申继伟,郭亨群,吕蓬,等. Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性[J]. 发光学报,2008,29(6):1045-1049.
APA 申继伟,郭亨群,吕蓬,徐骏,陈坤基,&王启明.(2008).Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性.发光学报,29(6),1045-1049.
MLA 申继伟,et al."Si/SiNx超晶格材料的非线性光学特性".发光学报 29.6(2008):1045-1049.
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