SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究
邢海英; 范广涵; 赵德刚; 何苗; 章勇; 周天明
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:10Pages:6513-6519
Abstract采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.
metadata_83华南师范大学光电子材料与技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:5 6 2 18),广东省自然科学基金(批准号: 6 25 83),广东省科技攻关计划(批准号:2 6A1 8 2 1),广州市科技攻关重大项目(批准号:2 5Z12D 71),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2 7A 1 5 1 8)资助的课题.
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3462248
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15885
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
邢海英,范广涵,赵德刚,等. Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究[J]. 物理学报,2008,57(10):6513-6519.
APA 邢海英,范广涵,赵德刚,何苗,章勇,&周天明.(2008).Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究.物理学报,57(10),6513-6519.
MLA 邢海英,et al."Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究".物理学报 57.10(2008):6513-6519.
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