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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究
作者: 邢海英;  范广涵;  赵德刚;  何苗;  章勇;  周天明
发表日期: 2008
摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
邢海英;范广涵;赵德刚;何苗;章勇;周天明.Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究,物理学报,2008,57(10):6513-6519
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