SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响
张永; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 康俊勇; 成步文; 王启明
2008
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume28Issue:4Pages:479-482
Abstract制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍.
metadata_83厦门大学物理系,半导体光子学研究中心;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization福建省青年科技人才创新基金(2 4J 21),国家自然科学基金(6 676 27,5 672 79),福建省科技重点项目(2 6H 36)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3485484
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15879
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张永,李成,赖虹凯,等. Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2008,28(4):479-482.
APA 张永.,李成.,赖虹凯.,陈松岩.,康俊勇.,...&王启明.(2008).Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响.固体电子学研究与进展,28(4),479-482.
MLA 张永,et al."Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响".固体电子学研究与进展 28.4(2008):479-482.
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