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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响
作者: 张永;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  康俊勇;  成步文;  王启明
发表日期: 2008
摘要: 制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍.
刊名: 固体电子学研究与进展
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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张永;李成;赖虹凯;陈松岩;康俊勇;成步文;王启明.Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响,固体电子学研究与进展,2008,28(4):479-482
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