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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
作者: 邢海英;  范广涵;  章勇;  赵德刚
发表日期: 2009
摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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邢海英;范广涵;章勇;赵德刚.第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN,物理学报,2009,58(1):450-458
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