SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
邢海英; 范广涵; 章勇; 赵德刚
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:1Pages:450-458
Abstract采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.
metadata_83华南师范大学光电子材料与技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:5 6 2 18),广东省自然科学基金(批准号: 6 25 83),广东省科技攻关计划(批准号:2 6A1 8 2 1),广州市科技攻关重大项目(批准号:2 5Z12D 71),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2 7A 1 5 1 8)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3488182
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15875
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
邢海英,范广涵,章勇,等. 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN[J]. 物理学报,2009,58(1):450-458.
APA 邢海英,范广涵,章勇,&赵德刚.(2009).第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN.物理学报,58(1),450-458.
MLA 邢海英,et al."第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN".物理学报 58.1(2009):450-458.
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