SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
可用于弱光探测器的量子线研究进展
鞠研玲; 杨晓红; 韩勤; 杜云; 倪海桥; 黄社松; 王鹏飞; 贺继方; 牛智川
2009
Source Publication半导体光电
Volume30Issue:1Pages:11-15
Abstract以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度.文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果.采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了OaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家"973"计划项目,国家"863"计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3501766
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15851
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
鞠研玲,杨晓红,韩勤,等. 可用于弱光探测器的量子线研究进展[J]. 半导体光电,2009,30(1):11-15.
APA 鞠研玲.,杨晓红.,韩勤.,杜云.,倪海桥.,...&牛智川.(2009).可用于弱光探测器的量子线研究进展.半导体光电,30(1),11-15.
MLA 鞠研玲,et al."可用于弱光探测器的量子线研究进展".半导体光电 30.1(2009):11-15.
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