SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作
冉启江; 韩培德; 全宇军; 高利朋; 曾凡平; 赵春华
2009
Source Publication半导体光电
Volume30Issue:3Pages:381-384
Abstract在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅.采用顶层Si厚为2μm的SOI基片,通过半导体芯片制备中的光刻工艺,在脊高为935 nm,波导宽度为2μm的脊形波导上,分别制作了刻蚀深度为565 nm和935 nm的起伏型高阶布拉格光栅,测试表明,在1540~1640 nm波长范围内,得到了大于10 dB的消光比,实现了高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的滤波效果.理论和实验都证明了光栅刻蚀深度的增大将有利于增加高阶布拉格光栅的耦合系数,以及光栅周期数的增加会引起更大的光栅损耗.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家自然科学面上基金,国家"973"计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3503671
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15845
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
冉启江,韩培德,全宇军,等. 高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作[J]. 半导体光电,2009,30(3):381-384.
APA 冉启江,韩培德,全宇军,高利朋,曾凡平,&赵春华.(2009).高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作.半导体光电,30(3),381-384.
MLA 冉启江,et al."高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作".半导体光电 30.3(2009):381-384.
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