SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法
廖栽宜; 赵玲娟; 张云霄; 边静; 潘教青; 王圩
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:5Pages:3135-3139
Abstract提出一种新颖的方法用于测量电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)各种因素造成的插入损耗.此方法仅需要测量波长相关的光电流(Iph-λ)和光透过功率(P-λ)的数据,通过最小二乘法拟合出结果.理论分析表明此方法较精确,实验表明测试结果与理论拟合结果自洽得很好.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划(973计划)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3518031
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15835
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廖栽宜,赵玲娟,张云霄,等. 一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法[J]. 物理学报,2009,58(5):3135-3139.
APA 廖栽宜,赵玲娟,张云霄,边静,潘教青,&王圩.(2009).一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法.物理学报,58(5),3135-3139.
MLA 廖栽宜,et al."一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法".物理学报 58.5(2009):3135-3139.
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