SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SiN薄膜三阶非线性增强的研究
宋江婷; 郭亨群; 王加贤; 吴志军; 王国立; 沈海波; 徐骏; 陈坤基; 王启明
2009
Source Publication半导体技术
Volume34Issue:5Pages:418-422
Abstract采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiN_x)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征.采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10~(-8) esu和10~(-8)m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应.
metadata_83华侨大学,信息科学与工程学院;南京大学,物理学系;中国科学院,半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划(973计划),国家自然科学基金重点项目,集成光电子国家联合重点实验室开放课题,华侨大学科研基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3527940
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15831
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋江婷,郭亨群,王加贤,等. SiN薄膜三阶非线性增强的研究[J]. 半导体技术,2009,34(5):418-422.
APA 宋江婷.,郭亨群.,王加贤.,吴志军.,王国立.,...&王启明.(2009).SiN薄膜三阶非线性增强的研究.半导体技术,34(5),418-422.
MLA 宋江婷,et al."SiN薄膜三阶非线性增强的研究".半导体技术 34.5(2009):418-422.
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