亚微米尺度高速电光调制器的研究进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	亚微米尺度高速电光调制器的研究进展
	周亮; 余金中
	2009
Source Publication	激光与红外
Volume	39 Issue:3 Pages:239-243
Abstract	基于SOI(silicon on insulator)材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究Si光电子学的重点.评述了亚微米尺度下SOI脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求,分析并比较了几种基于不同光学结构和电学结构的电光调制器的原理和特性,讨论了达到高速电光调制的方式.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	科技部"973"项目,"863"项目,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3530194
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15821
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周亮,余金中. 亚微米尺度高速电光调制器的研究进展[J]. 激光与红外,2009,39(3):239-243.
APA	周亮,&余金中.(2009).亚微米尺度高速电光调制器的研究进展.激光与红外,39(3),239-243.
MLA	周亮,et al."亚微米尺度高速电光调制器的研究进展".激光与红外 39.3(2009):239-243.

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