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亚微米尺度高速电光调制器的研究进展 | |
周亮; 余金中 | |
2009 | |
Source Publication | 激光与红外
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Volume | 39Issue:3Pages:239-243 |
Abstract | 基于SOI(silicon on insulator)材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究Si光电子学的重点.评述了亚微米尺度下SOI脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求,分析并比较了几种基于不同光学结构和电学结构的电光调制器的原理和特性,讨论了达到高速电光调制的方式. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 科技部"973"项目,"863"项目,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3530194 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15821 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 周亮,余金中. 亚微米尺度高速电光调制器的研究进展[J]. 激光与红外,2009,39(3):239-243. |
APA | 周亮,&余金中.(2009).亚微米尺度高速电光调制器的研究进展.激光与红外,39(3),239-243. |
MLA | 周亮,et al."亚微米尺度高速电光调制器的研究进展".激光与红外 39.3(2009):239-243. |
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