SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
亚微米尺度高速电光调制器的研究进展
周亮; 余金中
2009
Source Publication激光与红外
Volume39Issue:3Pages:239-243
Abstract基于SOI(silicon on insulator)材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究Si光电子学的重点.评述了亚微米尺度下SOI脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求,分析并比较了几种基于不同光学结构和电学结构的电光调制器的原理和特性,讨论了达到高速电光调制的方式.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization科技部"973"项目,"863"项目,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3530194
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15821
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周亮,余金中. 亚微米尺度高速电光调制器的研究进展[J]. 激光与红外,2009,39(3):239-243.
APA 周亮,&余金中.(2009).亚微米尺度高速电光调制器的研究进展.激光与红外,39(3),239-243.
MLA 周亮,et al."亚微米尺度高速电光调制器的研究进展".激光与红外 39.3(2009):239-243.
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