SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究
季海铭; 曹玉莲; 杨涛; 马文全; 曹青; 陈良惠
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:3Pages:1896-1900
Abstract对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.
metadata_83中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3540519
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15815
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
季海铭,曹玉莲,杨涛,等. p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究[J]. 物理学报,2009,58(3):1896-1900.
APA 季海铭,曹玉莲,杨涛,马文全,曹青,&陈良惠.(2009).p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究.物理学报,58(3),1896-1900.
MLA 季海铭,et al."p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究".物理学报 58.3(2009):1896-1900.
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