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p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究 | |
季海铭![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2009 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 58Issue:3Pages:1896-1900 |
Abstract | 对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3540519 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15815 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 季海铭,曹玉莲,杨涛,等. p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究[J]. 物理学报,2009,58(3):1896-1900. |
APA | 季海铭,曹玉莲,杨涛,马文全,曹青,&陈良惠.(2009).p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究.物理学报,58(3),1896-1900. |
MLA | 季海铭,et al."p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究".物理学报 58.3(2009):1896-1900. |
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