SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源
朱从义; 张耀辉; 石寅
2009
Source Publication半导体技术
Volume34Issue:6Pages:586-589
Abstract设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增益,从而使输出电平与电源电压无关,然后通过电阻把电压转化为电流.该电路在0.35,μm、3.3 V的工艺下实现,芯片面积为0.03 mm~2.仿真和测试结果表明,该电流源的温度系数为8.7×10~(-6)/℃,在2.6~4 V的电源电压下均能正常工作,达到了系统要求.
metadata_83中国科学院,苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization中国科学院百人计划基金支持项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3543876
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15811
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
朱从义,张耀辉,石寅. 低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源[J]. 半导体技术,2009,34(6):586-589.
APA 朱从义,张耀辉,&石寅.(2009).低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源.半导体技术,34(6),586-589.
MLA 朱从义,et al."低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源".半导体技术 34.6(2009):586-589.
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